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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
71
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,813.5
1,289.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
56
71
读取速度,GB/s
4,387.7
3,244.6
写入速度,GB/s
1,813.5
1,289.4
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
520
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB RAM的比较
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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