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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
56
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
45
读取速度,GB/s
4,387.7
11.6
写入速度,GB/s
1,813.5
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2036
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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