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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
56
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
35
读取速度,GB/s
4,387.7
15.8
写入速度,GB/s
1,813.5
12.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2852
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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