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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
56
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
23
读取速度,GB/s
4,387.7
18.4
写入速度,GB/s
1,813.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3456
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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