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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
52
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
25
读取速度,GB/s
9.7
15.4
写入速度,GB/s
7.2
13.4
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2786
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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