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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.7
18.1
写入速度,GB/s
7.2
14.8
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3779
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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