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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
65
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
65
读取速度,GB/s
9.7
17.5
写入速度,GB/s
7.2
8.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1921
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Mushkin 994104 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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