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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
52
左右 -174% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
19
读取速度,GB/s
9.7
20.4
写入速度,GB/s
7.2
14.8
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3066
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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