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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

总分
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

总分
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 52
    左右 -33% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 14.0
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 2221

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较

Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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内存RAM
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
内存RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
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内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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内存RAM
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
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Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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