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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
9.7
16.1
写入速度,GB/s
7.2
13.1
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3047
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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