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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
9.7
15.0
写入速度,GB/s
7.2
10.8
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2516
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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