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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.7
15.3
写入速度,GB/s
7.2
11.2
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2810
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
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