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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
52
左右 -126% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
23
读取速度,GB/s
9.7
20.6
写入速度,GB/s
7.2
16.2
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3819
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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