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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
30
读取速度,GB/s
9.7
17.6
写入速度,GB/s
7.2
15.5
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
3564
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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