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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.2
17.4
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3343
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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