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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
52
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.2
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
48
读取速度,GB/s
9.7
10.2
写入速度,GB/s
7.2
7.4
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2190
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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