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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.7
8.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
52
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
44
读取速度,GB/s
9.7
8.5
写入速度,GB/s
7.2
5.6
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1660
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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