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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

总分
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB 需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    19 left arrow 52
    左右 -174% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 19
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 3397

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