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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.4
19.0
写入速度,GB/s
8.4
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
3559
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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