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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.4
15.2
写入速度,GB/s
8.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
2918
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
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