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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
63
读取速度,GB/s
12.8
16.6
写入速度,GB/s
9.0
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1863
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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