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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
26
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
18
读取速度,GB/s
12.8
19.4
写入速度,GB/s
9.0
15.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3063
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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