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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.8
17.8
写入速度,GB/s
9.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3573
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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