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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
12.8
15.9
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2663
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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