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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
21
读取速度,GB/s
12.8
21.2
写入速度,GB/s
9.0
19.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
4404
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
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