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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.8
15.7
写入速度,GB/s
9.0
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2787
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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