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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
44
读取速度,GB/s
12.8
14.7
写入速度,GB/s
9.0
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2170
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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