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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.8
15.6
写入速度,GB/s
9.0
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3043
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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