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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
12.8
16.8
写入速度,GB/s
9.0
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2990
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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