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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
186
左右 86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
3.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
2.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
186
读取速度,GB/s
12.8
3.9
写入速度,GB/s
9.0
2.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
536
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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