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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
17
读取速度,GB/s
12.8
20.8
写入速度,GB/s
9.0
16.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3623
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
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