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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.8
14.9
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2831
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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