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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
18.2
写入速度,GB/s
9.0
13.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3061
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
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