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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

总分
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

总分
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB 需要考虑的原因
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 26
    左右 -8% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 2972

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较

Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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内存RAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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Mushkin 996902 2GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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