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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
89
左右 71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
89
读取速度,GB/s
12.8
14.2
写入速度,GB/s
9.0
7.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1571
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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