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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.8
18.2
写入速度,GB/s
9.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3535
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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