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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
15.1
写入速度,GB/s
9.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2914
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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