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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905598-026.A00G 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.8
12.9
写入速度,GB/s
9.0
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2646
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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