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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905624-022.A00G 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
87
读取速度,GB/s
12.8
14.5
写入速度,GB/s
9.0
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1583
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
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