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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905663-005.A00G 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
15.5
写入速度,GB/s
9.0
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2475
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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