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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9905702-150.A00G 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
21
读取速度,GB/s
12.8
18.5
写入速度,GB/s
9.0
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3331
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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