RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
12.8
15.6
写入速度,GB/s
9.0
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3024
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link