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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
12.8
20.3
写入速度,GB/s
9.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3235
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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