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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KH2400C15D4/8 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
13.4
写入速度,GB/s
9.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2892
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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