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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.8
17.8
写入速度,GB/s
9.0
16.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3748
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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