RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.8
16.4
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2616
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link