RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
12.8
17.4
写入速度,GB/s
9.0
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2806
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link