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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
12.8
15.9
写入速度,GB/s
9.0
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2611
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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