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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.8
10.4
写入速度,GB/s
9.0
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2297
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
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Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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