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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
39
读取速度,GB/s
12.8
8.9
写入速度,GB/s
9.0
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2011
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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